美國亞利桑那州鳳凰城當地時間2025年10月8日， SEMI在SEMICON West上發布最新《300mm晶圓廠展望報告》（300mm Fab Outlook），預計從2026年到2028年，全球300mm晶圓廠設備支出將達到3,740億美元。這一強勁投資反映了晶圓廠區域化趨勢以及對數據中心和邊緣設備中AI芯片需求的激增，同時也凸顯了全球主要地區通過本地化產業生態系統和供應鏈重構，推動半導體自主化的持續承諾。 

預計2025年全球300mm晶圓廠設備支出將首次超過1,000億美元，增長7%，達到1,070億美元。報告預測，2026年投資將增長9%，達到1,160億美元；2027年增長4%，達到1,200億美元；2028年將增長15%，達到1,380億美元。 

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“半導體行業正進入一個前所未有的變革時代，這一變革由AI技術帶來的巨大需求以及對區域自主化的重新聚焦所驅動。全球戰略性投資與合作正在推動先進供應鏈的建設，加快下一代半導體制造技術的部署。300mm晶圓廠的全球擴張將推動數據中心、邊緣設備以及數字經濟的進步。” 

領域增長

Logic和Micro領域預計將在2026至2028年間以1,750億美元的設備投資總額領先。受益于2nm以下制程產能的建設，代工廠將成為主要推動力。關鍵技術包括全環繞柵極（GAA）晶體管結構和背面供電技術，這些技術是提升芯片性能和能效、滿足日益增長的AI工作負載需求的核心。更先進的1.4nm工藝預計將在2028至2029年進入量產。此外，AI性能提升也將推動邊緣設備（如汽車電子、物聯網和機器人）市場的快速增長。除先進制程外，所有節點的需求也將顯著上升，推動成熟制程設備投資。

Memory預計將在三年間以1,360億美元的支出位居第二，標志著該領域新一輪增長周期的開始。其中，DRAM相關設備投資預計將超過790億美元，3D NAND投資將達到560億美元。AI訓練與推理對各類存儲器需求全面上升。AI訓練需要更高的數據傳輸帶寬和極低延遲，顯著提升對高帶寬存儲器（HBM）的需求；而模型推理則生成更高質量和多樣化的AI數字內容，推動終端存儲容量需求，進而帶動3D NAND Flash需求。這一強勁需求將在中長期內維持供應鏈投資的高水平，有助于緩解傳統存儲周期帶來的潛在下滑。

Analog相關領域預計將在未來三年內投資超過410億美元。

包括化合物半導體在內的功率相關領域預計將在2026至2028年間投資270億美元。

區域增長

中國大陸預計將繼續領先全球300mm設備支出，2026至2028年間投資總額將達940億美元，受益于國家政策的持續推動。

韓國預計將以860億美元的投資額位居全球第二，支撐全球生成式AI需求。

中國臺灣預計將在三年內投資750億美元，排名第三，投資將主要集中在2nm及以下制程，以維持其在先進代工領域的領導地位。

美洲預計將在2026至2028年間投資600億美元，升至第四位。美國供應商正在擴展先進制程產能，以滿足AI應用激增的需求，同時推動國內產業升級。

日本、歐洲與中東、東南亞預計分別投資320億美元、140億美元和120億美元。旨在緩解半導體供應鏈關鍵問題的政策激勵措施，預計將推動這些地區到2028年的設備投資比2024年增長超過60%。

（來源：SEMI）