為貫徹國家創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，積極培育和發(fā)展新質生產(chǎn)力，聚焦發(fā)掘我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)重要科技進展，進一步擴大優(yōu)秀科研成果的影響力和輻射面，助推優(yōu)秀技術成果轉化為新質生產(chǎn)力，實現(xiàn)高水平科技自立自強，賦能我國產(chǎn)業(yè)不斷攀升全球價值鏈的最高端。
第十一屆國際第三代半導體論壇暨第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2025）將于2025年11月11-14日在廈門舉辦！作為大會備受關注的‘年度中國第三代半導體技術十大進展’評選，去年一經(jīng)公布，受到了行業(yè)的廣泛關注。經(jīng)大會程序委員會合議，啟動“2025年度中國第三代半導體技術十大進展”的征集和評選工作。現(xiàn)將具體事項通知如下：
一、申報主體
（一）在中國大陸、香港和澳門地區(qū)注冊，技術研發(fā)和企業(yè)管理以華人為主體的企業(yè)；
（二）具備自主研發(fā)能力的高等院校、科研院所等機構或團隊；
二、成果申報條件
（一）在2024年10月至2025年10月期間，從事第三代半導體領域相關研究的科研院所、高校、企業(yè)等取得的重要科技進展，且為項目的主要完成單位，或科研人員為項目的主要完成人。
（二）參選成果具有創(chuàng)新性、突破性和引領性，或在國際（國內(nèi)）頂級學術期刊發(fā)表論文；
（三）新技術、新產(chǎn)品等在年度內(nèi)引發(fā)熱點或產(chǎn)生重大影響力；
（四）技術、產(chǎn)品、解決方案等突破創(chuàng)新，解決了產(chǎn)業(yè)關鍵問題；
三、成果征集方式
采用公開征集方式，面向國內(nèi)科研院所、高等院校及企事業(yè)單位廣泛征集，設有自薦、推薦和定向征集三種方式。
四、評審程序
（一）材料審核。由秘書處匯總各渠道推薦成果，對推薦材料進行形式審查，確定進入初評的有效候選成果。
（二）初評。由程序委員會專家在線對申報材料集中初評，投票產(chǎn)生30項擬入選候選成果。
（三）終評。由終評專家組對30項正式候選成果進行打分，根據(jù)打分結果產(chǎn)生10項“2025年度第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術十大進展”。
五、表彰及宣傳
（一）發(fā)布。最終結果將在IFWS&SSLCHINA2025論壇開幕大會上重磅發(fā)布。
（二）榮譽證書。十大進展入選成果將現(xiàn)場頒發(fā)榮譽證書。
（三）宣傳。所有征集成果都將在大會官網(wǎng)及相關媒體宣傳。
六、評審程序及時間安排
（一）須填寫《十大進展申報表》（見附件），成果簡介300-500字左右且要突出重點、簡明扼要，并提交相關指標圖片及附件材料。
（二）請務必于2025年10月20日前提交電子版申報材料，包括申報表word文件、有關證明材料pdf文件、成果匯報視頻。請一并郵件發(fā)送至郵箱：[email protected]，或提供網(wǎng)盤下載地址，文件注明：2025年度十大進展申報/推薦，逾期不予受理。
（三）時間安排：征集（9月20日-10月20日）——>初評（10月21-23日）——>終評（10月24-31日）——>發(fā)布&頒發(fā)證書（11月12日）
七、聯(lián)系咨詢
聯(lián)系人：陳關升
電話：010-82387600-616，18401540216
附件：2025年度中國第三代半導體技術十大進展申請表、十大進展匯報PPT模板等
掃碼下載申請表&PPT模板
附：2024年度中國第三代半導體技術十大進展
（排名不分先后）
1、6-8英寸藍寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術實現(xiàn)重大突破
2、垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備
3、基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術
4、高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED顯示芯片
5、氮化鎵缺陷引起的局域振動的原子尺度可視化
6、千伏級氧化鎵垂直槽柵晶體管
7、2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現(xiàn)國產(chǎn)化
8、8英寸碳化硅材料和晶圓制造實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破
9、國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅MOSFET器件實現(xiàn)新能源汽車電驅應用
10、氮化鎵基藍光激光器關鍵技術取得產(chǎn)業(yè)化突破
——>證書示例<——
